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AUIRF7769L2TR

AUIRF7769L2TR Infineon Technologies

INFN-S-A0002297188-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details AUIRF7769L2TR Infineon Technologies

Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 124A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AUIRF7769L2TR AUIRF7769L2TR Infineon Technologies INFN-S-A0002297188-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 7807 Stücke:
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100+10.83 EUR
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AUIRF7769L2TR AUIRF7769L2TR INFINEON INFN-S-A0002297188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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50+18.1 EUR
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1000+11.95 EUR
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AUIRF7769L2TR AUIRF7769L2TR INFINEON INFN-S-A0002297188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 124A
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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AUIRF7769L2TR
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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50+18.1 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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50+18.1 EUR
250+12.59 EUR
1000+11.95 EUR
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