AUIRF7769L2TR Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 4000+ | 7.97 EUR |
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Technische Details AUIRF7769L2TR Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 0.0028 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 124A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote AUIRF7769L2TR nach Preis ab 7.97 EUR bis 13.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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AUIRF7769L2TR | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V 120V( |
auf Bestellung 1711 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRF7769L2TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 7807 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRF7769L2TR | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 0.0028 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 124A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF7769L2TR | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 0.0028 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 124A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRF7769L2TR | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 156000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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AUIRF7769L2TR | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A Automotive 9-Pin Direct-FET T/R |
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