AUIRF8739L2TR Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 57A DIRECTFET
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 195A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 545A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 562 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details AUIRF8739L2TR Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF8739L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 600 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 375A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, Verlustleistung: 340W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DirectFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm.
Weitere Produktangebote AUIRF8739L2TR nach Preis ab 6.83 EUR bis 18.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRF8739L2TR | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 57A Automotive AEC-Q101 9-Pin Direct-FET T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
AUIRF8739L2TR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF8739L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 600 µohm, DirectFET L8, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DirectFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
AUIRF8739L2TR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF8739L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 600 µohm, DirectFET L8, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V Verlustleistung: 340W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DirectFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm |
auf Bestellung 4642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| AUIRF8739L2TR |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 57A Automotive AEC-Q101 9-Pin Direct-FET T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 57A Automotive AEC-Q101 9-Pin Direct-FET T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 14.57 EUR |
| 14+ | 12.83 EUR |
| 50+ | 10.84 EUR |
| 100+ | 10.06 EUR |
| 200+ | 9.5 EUR |
| 500+ | 8.58 EUR |
| 1000+ | 7.57 EUR |
| 4000+ | 6.83 EUR |
| AUIRF8739L2TR |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF8739L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 600 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DirectFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - AUIRF8739L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 600 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DirectFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.11 EUR |
| 17+ | 14.16 EUR |
| 21+ | 10.6 EUR |
| 50+ | 9.21 EUR |
| 100+ | 7.82 EUR |
| 250+ | 7.66 EUR |
| AUIRF8739L2TR |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF8739L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 600 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DirectFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
Description: INFINEON - AUIRF8739L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 600 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DirectFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
auf Bestellung 4642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.56 EUR |
| 16+ | 14.53 EUR |
| 20+ | 10.88 EUR |
| 50+ | 10.56 EUR |
| 100+ | 7.79 EUR |
| 250+ | 7.65 EUR |



