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AUIRF8739L2TR

AUIRF8739L2TR Infineon Technologies

auirf8739l2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b0e3241416
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 57A DIRECTFET
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 195A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 545A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 562 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
auf Bestellung 12443 Stücke:
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Technische Details AUIRF8739L2TR Infineon Technologies

Description: INFINEON - AUIRF8739L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 600 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 375A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: DirectFET L8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DirectFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
AUIRF8739L2TR AUIRF8739L2TR INFINEON IRSD-S-A0000590512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF8739L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 600 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DirectFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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AUIRF8739L2TR AUIRF8739L2TR INFINEON IRSD-S-A0000590512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF8739L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 600 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DirectFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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AUIRF8739L2TR
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF8739L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 600 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DirectFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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AUIRF8739L2TR
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF8739L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 600 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DirectFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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