
AUIRFN8459TR Infineon Technologies
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Anzahl | Preis |
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49+ | 3.05 EUR |
55+ | 2.64 EUR |
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100+ | 2.09 EUR |
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Technische Details AUIRFN8459TR Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRFN8459TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 0.0048 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 50W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 50W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote AUIRFN8459TR nach Preis ab 1.50 EUR bis 5.86 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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AUIRFN8459TR | Hersteller : Infineon Technologies |
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AUIRFN8459TR | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 50W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0048ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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AUIRFN8459TR | Hersteller : INFINEON |
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AUIRFN8459TR | Hersteller : Infineon Technologies |
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AUIRFN8459TR | Hersteller : Infineon Technologies |
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AUIRFN8459TR | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 50W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 50W Case: PQFN5X6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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AUIRFN8459TR | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active |
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AUIRFN8459TR | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active |
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AUIRFN8459TR | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 50W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 50W Case: PQFN5X6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
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