AUIRFR024N INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR024N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 51+ | 4.93 EUR |
| 68+ | 3.44 EUR |
| 100+ | 2.27 EUR |
| 500+ | 1.75 EUR |
| 1000+ | 1.43 EUR |
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Technische Details AUIRFR024N INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR024N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote AUIRFR024N
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFR024N | Infineon |
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
AUIRFR024N | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AUIRFR024N | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| AUIRFR024N | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AUIRFR024N |
|
Hersteller: Infineon
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms Транзистори
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms Транзистори
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| AUIRFR024N |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Stück im Wert von UAH
| AUIRFR024N |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AUIRFR024N |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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