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AUIRFR5305TRL

AUIRFR5305TRL Infineon Technologies

infineon-auirfr5305tr-datasheet-v01_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 850 Stücke:
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Technische Details AUIRFR5305TRL Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote AUIRFR5305TRL nach Preis ab 1.78 EUR bis 7.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL INFINEON INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11163 Stücke:
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100+3.72 EUR
500+2.74 EUR
1500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL Infineon Technologies infineon-auirfr5305tr-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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39+4.52 EUR
50+4.33 EUR
100+3.19 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.26 EUR
2000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL Infineon Technologies infineon-auirfr5305tr-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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38+4.68 EUR
46+3.64 EUR
48+3.44 EUR
50+3.27 EUR
100+2.37 EUR
250+2.25 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL Infineon Technologies auirfr5305.pdf MOSFETs AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
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1+4.93 EUR
10+4.14 EUR
100+3.36 EUR
500+3 EUR
1000+2.48 EUR
3000+2.39 EUR
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AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL INFINEON INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11163 Stücke:
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47+5.38 EUR
52+4.52 EUR
100+3.72 EUR
500+2.74 EUR
1500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11 Stücke:
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3+7.52 EUR
10+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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AUIRFR5305TRL International Rectifier/Infineon Infineon-AUIRFR5305-DataSheet-vNA-EN.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200, Qg, нКл = 63, Rds = 65 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 110, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 40 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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AUIRFR5305TRL INFN-S-A0002023020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFR5305TRL
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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50+4.33 EUR
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Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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46+3.64 EUR
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500+1.78 EUR
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MOSFETs AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
auf Bestellung 423251 Stücke:
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500+3 EUR
1000+2.48 EUR
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AUIRFR5305TRL
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5305TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11163 Stücke:
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47+5.38 EUR
52+4.52 EUR
100+3.72 EUR
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1500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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AUIRFR5305TRL auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305TRL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+7.52 EUR
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AUIRFR5305TRL Infineon-AUIRFR5305-DataSheet-vNA-EN.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200, Qg, нКл = 63, Rds = 65 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 110, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 40 Од. вим: шт
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