AUIRFR6215

AUIRFR6215 Infineon Technologies


IRSDS11569-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
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Technische Details AUIRFR6215 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AUIRFR6215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 110, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: HexFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.295, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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AUIRFR6215 AUIRFR6215 Hersteller : Infineon Technologies infineon-auirfr6215-ds-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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AUIRFR6215 AUIRFR6215 Hersteller : Infineon Technologies infineon-auirfr6215-ds-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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AUIRFR6215 AUIRFR6215 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES auirfr6215.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+3.39 EUR
24+ 2.99 EUR
29+ 2.49 EUR
31+ 2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 22
AUIRFR6215 AUIRFR6215 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES auirfr6215.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
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AUIRFR6215 AUIRFR6215 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0008053270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFR6215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HexFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.295
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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AUIRFR6215 AUIRFR6215 Hersteller : Infineon Technologies infineon-auirfr6215-ds-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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AUIRFR6215 AUIRFR6215 Hersteller : Infineon Technologies IRSDS11569-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
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AUIRFR6215 AUIRFR6215 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_AUIRFR6215_DS_v01_01_EN-1225845.pdf MOSFET AUTO -150V 1 P-CH HEXFET 580mOhms
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