
B1D06065KS BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 45A
Power dissipation: 30W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.51 EUR |
15+ | 4.76 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
39+ | 1.83 EUR |
100+ | 1.09 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details B1D06065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA, Case: TO220ISO, Mounting: THT, Kind of package: tube, Leakage current: 20µA, Max. forward voltage: 1.75V, Load current: 6A, Max. forward impulse current: 45A, Power dissipation: 30W, Max. off-state voltage: 650V, Semiconductor structure: single diode, Technology: SiC, Type of diode: Schottky rectifying, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote B1D06065KS nach Preis ab 5.51 EUR bis 5.51 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B1D06065KS | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA Case: TO220ISO Mounting: THT Kind of package: tube Leakage current: 20µA Max. forward voltage: 1.75V Load current: 6A Max. forward impulse current: 45A Power dissipation: 30W Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single diode Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|