B1D08065K BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 56W; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 15+ | 4.76 EUR |
| 29+ | 2.46 EUR |
| 100+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.44 EUR |
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Technische Details B1D08065K BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 56W; TO220-2; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Case: TO220-2, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 56W, Max. forward impulse current: 60A, Leakage current: 10µA, Technology: SiC, Max. forward voltage: 1.75V, Load current: 8A, Semiconductor structure: single diode, Max. off-state voltage: 650V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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B1D08065K | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 56W; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 56W Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Technology: SiC Max. forward voltage: 1.75V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V |
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