B2D02120E1

B2D02120E1 BASiC SEMICONDUCTOR


B2D02120E1.pdf Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3339 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
74+0.97 EUR
85+0.84 EUR
100+0.83 EUR
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Technische Details B2D02120E1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: SMD Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape, Type of diode: Schottky rectifying, Case: TO252-2, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 2A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward voltage: 1.92V, Leakage current: 20µA, Max. forward impulse current: 22A, Kind of package: reel; tape, Technology: SiC, Power dissipation: 34W, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
B2D02120E1 B2D02120E1 Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
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