B2D02120K1

B2D02120K1 BASiC SEMICONDUCTOR


B2D02120K1.pdf Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; 35W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 35W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 139 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
66+1.09 EUR
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Technische Details B2D02120K1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; 35W; TO220-2; tube, Mounting: THT, Case: TO220-2, Kind of package: tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Max. off-state voltage: 1.2kV, Max. forward voltage: 1.9V, Load current: 2A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 20A, Leakage current: 20µA, Power dissipation: 35W, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
B2D02120K1 B2D02120K1 Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; 35W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 35W
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