B2D08065KS

B2D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR


B2D08065KS.pdf Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 37W; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.54V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:

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Technische Details B2D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 37W; TO220ISO; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Case: TO220ISO, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 37W, Max. forward impulse current: 64A, Leakage current: 10µA, Technology: SiC, Max. forward voltage: 1.54V, Load current: 8A, Semiconductor structure: single diode, Max. off-state voltage: 650V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Preis ohne MwSt
B2D08065KS B2D08065KS Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR B2D08065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 37W; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.54V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
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