B2D40120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; 112W; TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A
Power dissipation: 112W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 180A
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 30µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
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Technische Details B2D40120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; 112W; TO247-3, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 20A x2, Max. load current: 40A, Power dissipation: 112W, Semiconductor structure: common cathode; double, Case: TO247-3, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 180A, Max. forward voltage: 1.92V, Leakage current: 30µA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||
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B2D40120HC1 | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; 112W; TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A x2 Max. load current: 40A Power dissipation: 112W Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 180A Max. forward voltage: 1.92V Leakage current: 30µA |
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