B2D60120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 70µA
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 340A
Power dissipation: 361W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 5+ | 16.26 EUR |
| 30+ | 16.03 EUR |
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Technische Details B2D60120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA, Case: TO247-2, Mounting: THT, Kind of package: tube, Leakage current: 70µA, Max. forward voltage: 2.1V, Load current: 60A, Max. forward impulse current: 340A, Power dissipation: 361W, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: single diode, Technology: SiC, Type of diode: Schottky rectifying, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote B2D60120H1 nach Preis ab 16.26 EUR bis 16.26 EUR
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B2D60120H1 | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Leakage current: 70µA Max. forward voltage: 2.1V Load current: 60A Max. forward impulse current: 340A Power dissipation: 361W Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single diode Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying |
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