B2D60120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 361W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 70µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 5+ | 16.2 EUR |
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Technische Details B2D60120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA, Case: TO247-2, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 361W, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Max. off-state voltage: 1.2kV, Max. forward voltage: 2.1V, Load current: 60A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 340A, Leakage current: 70µA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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B2D60120H1 | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 361W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 2.1V Load current: 60A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 340A Leakage current: 70µA |
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