
B40C800G-E4/51 Vishay General Semiconductor
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Technische Details B40C800G-E4/51 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 65V 900MA WOG, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-Circular, WOG, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: WOG, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 65 V, Current - Average Rectified (Io): 900 mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 65 V.
Weitere Produktangebote B40C800G-E4/51 nach Preis ab 0.59 EUR bis 2.02 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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B40C800G-E4/51 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-Circular, WOG Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: WOG Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 65 V Current - Average Rectified (Io): 900 mA Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 65 V |
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B40C800G-E4/51 | Hersteller : General Semiconductor |
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B40C800G-E4/51 | Hersteller : Vishay |
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B40C800G-E4/51 | Hersteller : Vishay |
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