BAS 16-03W E6327 Infineon Technologies
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Technische Details BAS 16-03W E6327 Infineon Technologies
Description: DIODE GP 80V 250MA SOD323-2-1, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: PG-SOD323-2-1, Operating Temperature - Junction: 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| BAS16-03W E6327 | Hersteller : INFINEON | 0805-B |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BAS16-03W E6327 | Hersteller : INFINEON | SOD323 |
auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BAS16-03WE6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
 SOD323 |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAS16-03WE6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE GP 80V 250MA SOD323-2-1 Packaging: Bulk Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: PG-SOD323-2-1 Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V |
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