BAS1602LE6327XTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching Si 85V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin TSLP T/R
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Technische Details BAS1602LE6327XTMA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GP 80V 200MA TSLP-2-1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-882, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: PG-TSLP-2-1, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V.
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BAS1602LE6327XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Switching 85V 0.2A Automotive 2-Pin TSLP T/R |
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Rectifier Diode Switching Si 85V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin TSLP T/R |
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BAS1602LE6327XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE GP 80V 200MA TSLP-2-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: PG-TSLP-2-1 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V |
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BAS1602LE6327XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switching Diode |
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