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BAS316,H3F

BAS316,H3F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=55416&prodName=BAS316
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 100V 250MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
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Technische Details BAS316,H3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE STANDARD 100V 250MA USC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 3 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: USC, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BAS316,H3F BAS316,H3F Toshiba docget.pdf Diode Switching Si 100V 0.25A 2-Pin USC T/R
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BAS316,H3F BAS316,H3F Toshiba AFBE08BFE11B48DF643D05F71489B56731453C48538BD815FDC763AA1F49624D.pdf Small Signal Switching Diodes Switching Diode 100V .35pF .25A
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BAS316,H3F BAS316,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55416&prodName=BAS316 Description: DIODE STANDARD 100V 250MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technology: Standard
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