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BAS316,115 NXP

BAS316.pdf BAS16_SER.pdf
Hersteller: NXP
0,25A; 100V; SMD; 4ns; packaging: tape&reel BAS316,115 SOD323 NXP DIBAS316,115 NXP
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Technische Details BAS316,115 NXP

Description: DIODE STANDARD 100V 250MA SOD323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: SOD-323, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BAS316,115 Nexperia BAS316.pdf BAS16_SER.pdf 0,25A; 100V; SMD; 4ns; packaging: tape&reel BAS316,115 SOD323 NXP DIBAS316,115 NXP
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BAS316,115 NXP/Nexperia/We-En BAS316.pdf Імпульсний діод SMD, Ur, В = 100, Iо, A = 0,25, Cj, пФ = 1,5 @ 0 В, 1 МГц, If, A = 0,15, Ir, мкА = 0,5 @ 80 В, trr, нс = 4, Uf, В = 1,25, Тексп, °С = -65...+150, Темп.опір,°C/Вт = 500,... Діоди Корпус: SOD-323 Очікується: 3000 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1003 Stücke:
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