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BAT54S.215

Produktcode: 138024
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden

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Technische Details BAT54S.215

  • DIODE, SCHOTTKY, REEL 3K
  • Diode Type:Schottky
  • Voltage Vrrm:30V
  • Current, If AV:0.2A
  • Current, Ifsm:600mA
  • Typ Reverse Recovery Time, trr:5ns
  • Max Voltage Vf:800mV
  • Max Junction Temperature, Tj:125`C
  • Termination Type:SMD
  • Case Style:SOT-23
  • No. of Pins:3
  • Diode Case Style:SOT-23
  • Current, Ifs Max:0.6A
  • Forward Voltage:0.8V
  • Pin Configuration:1A1,2K2,3(K1&A2)
  • Reel Quantity:3000
  • SMD Marking:L44/*V4
  • Tape Width:8mm
  • Common Connection:K1+A2

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BAT54S,215 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En BAT54S.pdf BAT54.pdf 2 послідовно з'єднаних діоди Шотткі smd; Io, A = 0,2; Uзвор, В = 30; Uf (max), В = 0,8; If, А = 0,1; trr, нс = 5; Тексп, °С = -55...+150; I, мкА @ Ur, В = 2 @ 25; SOT-23-3
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BAT54S,215 BAT54S,215 Hersteller : NXP USA Inc. BAT54.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BAT54S,215 BAT54S,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BAT54S.pdf Description: DIODE ARR SCHOTTKY 30V TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: TO-236AB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
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BAT54S,215 BAT54S,215 Hersteller : Nexperia BAT54S.pdf BAT54.pdf Schottky Diodes & Rectifiers BAT54S/SOT23/TO-236AB
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BAT54S,215 BAT54S,215 Hersteller : NEXPERIA BAT54_SER.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
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BAT54S,215 BAT54S,215 Hersteller : Nexperia bat54_ser.pdf Diode Schottky 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BAT54S,215 BAT54S,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BAT54S.pdf Description: DIODE ARR SCHOTTKY 30V TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: TO-236AB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
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BAT54S,215 BAT54S,215 Hersteller : Nexperia bat54_ser.pdf Diode Schottky 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BAT54S,215 BAT54S,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0005722381-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BAT54S,215 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BAT54S,215 BAT54S,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0005722381-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BAT54S,215 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BAT54S.215 BAT54S.215 Hersteller : NXP BAT54_SER.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT23; SMD; 30V; 10mA; 5ns
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 10mA
Semiconductor structure: double series
Reverse recovery time: 5ns
Max. load current: 0.2A
Forward voltage at If: 400mV
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100nF 500V X7R 10% 1210 (C1210C104KCRACTU – Kemet)
Produktcode: 121306
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kemet_x7r _dielectric-datasheet.pdf
100nF 500V X7R 10% 1210 (C1210C104KCRACTU – Kemet)
Hersteller: Kemet
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1210
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 500 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 1210
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47 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0747KL – Yageo)
Produktcode: 110288
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rc0603-272842.pdf
47 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0747KL – Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 47 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1 W
P Nenn.,W: 50 V
U Betriebs.,V: 0603
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2N7002.215
Produktcode: 73129
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Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-236AB
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
JHGF: SMD
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10+0.022 EUR
100+0.02 EUR
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1uF 6,3V X5R 20% 0603 4k/reel (0603X105M063NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 43097
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X7R_X5R.pdf
1uF 6,3V X5R 20% 0603 4k/reel (0603X105M063NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 1uF
Nennspannung: 6,3V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±20% M
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
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10+0.03 EUR
100+0.0099 EUR
1000+0.0079 EUR
10000+0.0059 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRLML6344TRPBF
Produktcode: 42697
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irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
IRLML6344TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 08.06.650
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 9893 Stück
8 Stück - stock Köln
9885 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.25 EUR
10+0.19 EUR
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