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BAV70,215 NXP

Name: BAV70,215
Brand: NXP
SKU: 468799231-1
Price: 5.16 EUR
Availability: InStock

Hersteller: NXP
75V 0.45A 4ns SOT-23 Діоди та діодні збірки

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Technische Details BAV70,215 NXP

Description: NEXPERIA - BAV70,215 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-236AB, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BAV70, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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BAV70,215

Nexperia

Diode Switching 100V 0.215A 3-Pin SOT-23 T/R

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Diode Switching 100V 0.215A 3-Pin SOT-23 T/R

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Diode Switching 100V 0.215A 3-Pin SOT-23 T/R

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Diode Switching 100V 0.215A 3-Pin SOT-23 T/R

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BAV70,215

NEXPERIA

Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 215mA; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 4A

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BAV70,215

NXP/Nexperia/We-En

2 імпульсних діоди SMD зі спільним катодом, Ur, В = 100, Iо, A = 0,215, If, A = 0,15, Ir, мкА = 0,5 @ 80 В, trr, нс = 4, Uf, В = 1,25, Тексп, °С = -65...+150,... Діоди Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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BAV70,215

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BAV70,215

Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 215mA; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 4A

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BAV70,215

Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
2 імпульсних діоди SMD зі спільним катодом, Ur, В = 100, Iо, A = 0,215, If, A = 0,15, Ir, мкА = 0,5 @ 80 В, trr, нс = 4, Uf, В = 1,25, Тексп, °С = -65...+150,... Діоди Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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