BB814E6327GR2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Capacitance Ratio Condition: C2/C8
Q @ Vr, F: 200 @ 2V, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 22.7pF @ 8V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Capacitance Ratio: 2.25
Voltage - Peak Reverse (Max): 18 V
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Technische Details BB814E6327GR2 Infineon Technologies
Description: VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1, Capacitance Ratio Condition: C2/C8, Q @ Vr, F: 200 @ 2V, 100MHz, Capacitance @ Vr, F: 22.7pF @ 8V, 1MHz, Operating Temperature: -55°C ~ 125°C, Diode Type: 1 Pair Common Cathode, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Bulk, Capacitance Ratio: 2.25, Voltage - Peak Reverse (Max): 18 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| BB 814 E6327 GR2 | Infineon Technologies |
Varactor Diodes 50mA Silicn Variable Capacitance Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BB 814 E6327 GR2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Varactor Diodes 50mA Silicn Variable Capacitance Diode
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