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BC550B LGE

BC546-50.pdf BC546-BC550A_B_C_VerD2112.pdf Hersteller: LGE
Transistor NPN; Bipolar; 800; 45V; 6V; 150MHz; 100mA; 625mW; -55°C~150°C; BC550B TBC550b c
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Technische Details BC550B LGE

Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 500 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC550B (Bipolartransistor NPN) BC550B (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 37228
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bc550_d-2310266.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 450
ZCODE: THT
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BC550B BC550B Hersteller : ON Semiconductor bc549b-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92
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BC550B BC550B Hersteller : onsemi BC546-50.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
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BC550B BC550B Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation BC546-BC550A_B_C_VerD2112.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
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BC550B Hersteller : Taiwan Semiconductor BC546-50.pdf BC546-BC550A_B_C_VerD2112.pdf Bipolar Transistors - BJT TO-92, 45V, 0.1A, NPN Bipolar Transistor
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BC550B BC550B Hersteller : onsemi / Fairchild BC550_D-2310266.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 45V 100mA HFE/450
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BC550B Hersteller : Diodes Incorporated BC546-50.pdf BC546-BC550A_B_C_VerD2112.pdf Bipolar Transistors - BJT
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