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BC63916-D27Z

BC63916-D27Z ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
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Technische Details BC63916-D27Z ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 830mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC63916-D27Z BC63916-D27Z ON Semiconductor bc63916-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
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BC63916-D27Z BC63916-D27Z ON Semiconductor bc63916-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2144 Stücke:
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809+0.21 EUR
847+0.2 EUR
889+0.19 EUR
935+0.18 EUR
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BC63916-D27Z BC63916-D27Z onsemi BC63916-D.PDF Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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BC63916-D27Z BC63916-D27Z ON Semiconductor bc63916-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2144 Stücke:
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471+0.37 EUR
774+0.21 EUR
809+0.2 EUR
847+0.19 EUR
889+0.17 EUR
935+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 471 Stücke
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BC63916-D27Z BC63916-D27Z ON Semiconductor bc63916-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.39 EUR
4000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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BC63916-D27Z BC63916-D27Z ON Semiconductor bc63916-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
383+0.46 EUR
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BC63916-D27Z BC63916-D27Z ON-Semiconductor TBC63916-D27Z_ON_0001.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R Substitute: BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC63916_D27Z TO92(T/R) ONSEMI TBC63916-D27Z
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BC63916-D27Z BC63916-D27Z ONSEMI BC63916D27Z.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 4601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.71 EUR
152+0.56 EUR
175+0.49 EUR
250+0.35 EUR
291+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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BC63916-D27Z BC63916-D27Z ON Semiconductor bc63916-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.96 EUR
383+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
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BC63916-D27Z BC63916-D27Z onsemi BC63916-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
auf Bestellung 3329 Stücke:
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4+1.09 EUR
10+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BC63916-D27Z BC63916-D27Z onsemi BC63916-D.PDF Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
31+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
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BC63916-D27Z BC63916-D27Z ONSEMI ONSM-S-A0013180146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14118 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BC63916-D27Z Fairchild/ON Semiconductor BC635-D.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 мВ @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BC63916-D27Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
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809+0.21 EUR
847+0.2 EUR
889+0.19 EUR
935+0.18 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
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471+0.37 EUR
774+0.21 EUR
809+0.2 EUR
847+0.19 EUR
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935+0.15 EUR
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BC63916-D27Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
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4000+0.38 EUR
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BC63916-D27Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 404 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
383+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 383 Stücke
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BC63916-D27Z TBC63916-D27Z_ON_0001.pdf
BC63916-D27Z
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R Substitute: BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC63916_D27Z TO92(T/R) ONSEMI TBC63916-D27Z
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
100+0.58 EUR
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BC63916-D27Z
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
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AnzahlPrivatkunde
120+0.71 EUR
152+0.56 EUR
175+0.49 EUR
250+0.35 EUR
291+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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BC63916-D27Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
183+0.96 EUR
383+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
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4+1.09 EUR
10+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BC63916-D27Z
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.09 EUR
31+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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BC63916-D27Z ONSM-S-A0013180146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC63916-D27Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 мВ @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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