BC63916-D27Z ON Semiconductor
| Anzahl | Preis |
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| 815+ | 0.18 EUR |
| 852+ | 0.16 EUR |
| 893+ | 0.15 EUR |
| 937+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
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Technische Details BC63916-D27Z ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BC63916-D27Z nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BC63916-D27Z | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC63916-D27Z | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC63916-D27Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 2144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC63916-D27Z | Hersteller : ON-Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R Substitute: BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC63916_D27Z TO92(T/R) ONSEMI TBC63916-D27Z Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BC63916-D27Z | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 100MHz |
auf Bestellung 5125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC63916-D27Z | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power |
auf Bestellung 3977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC63916-D27Z | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
auf Bestellung 2751 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC63916-D27Z | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 16437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC63916-D27Z | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 мВ @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
verfügbar 1 Stücke: |
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BC63916-D27Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BC63916_D27Z | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BC63916_D27Z | Hersteller : ONS/FAI |
Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 800mW; TO92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |