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BC639-16

BC639-16 LUGUANG ELECTRONIC

BC635_637_639.pdf
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
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Technische Details BC639-16 LUGUANG ELECTRONIC

Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC639-16 BC639-16 Hersteller : LGE TBC63916_0001.pdf Transistor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BC639-16-LGE; BC63916_D27Z; BC639-16ZL1G; BC639-16-CDI; BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC639-16TA-CDI; TBC639.16TA; BC639-16 TO92(AMMO) LGE TBC63916
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BC639-16 BC639-16 Hersteller : LGE TBC63916_0001.pdf Transistor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BC639-16-LGE; BC63916_D27Z; BC639-16ZL1G; BC639-16-CDI; BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC639-16TA-CDI; TBC639.16TA; BC639-16 TO92(AMMO) LGE TBC63916
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BC639-16 BC639-16 Hersteller : JSMicro Semiconductor Transistor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC639-16ZL1G; BC639-16-BP; BC639-16-LGE; BC639-16-CDI; BC639-16 JSMICRO TBC63916 JSM
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