BC639-16 LGE
Hersteller: LGE
Transistor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BC639-16-LGE; BC63916_D27Z; BC639-16ZL1G; BC639-16-CDI; BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC639-16TA-CDI; TBC639.16TA; BC639-16 TBC63916
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BC639-16-LGE; BC63916_D27Z; BC639-16ZL1G; BC639-16-CDI; BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC639-16TA-CDI; TBC639.16TA; BC639-16 TBC63916
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Technische Details BC639-16 LGE
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1 W.
Weitere Produktangebote BC639-16 nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| BC639-16 | Hersteller : LGE |
Transistor NPN; 250; 625mW; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BC639-16-LGE; BC63916_D27Z; BC639-16ZL1G; BC639-16-CDI; BC63916-D27Z; BC63916D27Z; BC639-16TA-CDI; TBC639.16TA; BC639-16 TBC63916 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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| BC639-16 | Hersteller : CDIL | Транзистор біполярний NPN; TO92; (Ucb) = 80V; Ic = 1A; 800mW; |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC639-16 | Hersteller : JSMicro Semiconductor | TO-92-3 Bipolar (BJT) BC639-16 JSMICRO TBC63916 JSM |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC639-16 | Hersteller : Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd. | BC63916 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC63916 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
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BC639-16 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 100...250 Mounting: THT Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
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BC63916 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
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BC63916 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN GP AMP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC639-16 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 100...250 Mounting: THT Frequency: 100MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |