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BC807-40LVL

BC807-40LVL Nexperia


BC807L_BC807LW-1319023.pdf Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC807-40L/SOT23/TO-236AB
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Technische Details BC807-40LVL Nexperia

Description: NEXPERIA - BC807-40LVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC807L, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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BC807-40LVL BC807-40LVL Hersteller : Nexperia USA Inc. BC807L_BC807LW.pdf Description: BC807-40L/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BC807-40LVL BC807-40LVL Hersteller : NEXPERIA BC807L_BC807LW.pdf Description: NEXPERIA - BC807-40LVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807L
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC807-40LVL BC807-40LVL Hersteller : NEXPERIA BC807L_BC807LW.pdf Description: NEXPERIA - BC807-40LVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807L
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC807-40LVL BC807-40LVL Hersteller : Nexperia bc807l_bc807lw.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807-40LVL BC807-40LVL Hersteller : NEXPERIA bc807l_bc807lw.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807-40LVL BC807-40LVL Hersteller : Nexperia USA Inc. BC807L_BC807LW.pdf Description: BC807-40L/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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