Technische Details BC807K-25VL Nexperia
Description: NEXPERIA - BC807K-25VL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 350 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC807K, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BC807K-25VL nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BC807K-25VL | Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO-236ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q100 |
auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC807K-25VL | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 800mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 3265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2942 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| BC807K-25VL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC807K-25VL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 350 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807K Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC807K-25VL |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO-236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q100
Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO-236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4340+ | 0.12 EUR |
| BC807K-25VL |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 800mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 800mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC807K-25VL |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807K-25VL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 350 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807K Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BC807K-25VL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 350 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807K Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 592+ | 0.42 EUR |
| 814+ | 0.29 EUR |
| 1060+ | 0.2 EUR |
| 1289+ | 0.17 EUR |
| 5000+ | 0.15 EUR |