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BC817-25LT1G

BC817-25LT1G ON Semiconductor

bc817-16lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC817-25LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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BC817-25LT1G BC817-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC817-25LT1G BC817-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC817-25LT1G BC817-25LT1G Hersteller : ONSEMI BC817-xxL.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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2348+ 0.03 EUR
2674+ 0.027 EUR
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BC817-25LT1G BC817-25LT1G Hersteller : ONSEMI BC817-xxL.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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BC817-25LT1G BC817-25LT1G Hersteller : onsemi bc817-16lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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Mindestbestellmenge: 3000
BC817-25LT1G BC817-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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4274+ 0.033 EUR
6000+ 0.025 EUR
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Mindestbestellmenge: 2101
BC817-25LT1G BC817-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2124+ 0.06 EUR
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BC817-25LT1G BC817-25LT1G Hersteller : onsemi BC817_16LT1_D-2310244.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN
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BC817-25LT1G BC817-25LT1G Hersteller : onsemi bc817-16lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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BC817-25LT1G BC817-25LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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BC817-25LT1G BC817-25LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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BC817-25LT1G BC817-25LT1G Hersteller : ONSEMI 1842041.pdf Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 36000 Stücke:
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BC817-25LT1G Hersteller : ON-Semicoductor bc817-16lt1-d.pdf Tranz NPN Bipolar Transistor; 0.5 A; 45 V; 3-Pin SOT-23 BC817-25LT3G BC817-25LT1G ONS TBC81725 ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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Mindestbestellmenge: 500
BC817-25LT1G Hersteller : ONS bc817-16lt1-d.pdf Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=45V; Ic=0,5A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=160/400
auf Bestellung 1872 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.1 EUR
10+ 0.089 EUR
BC817-25LT1G Hersteller : On Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf NPN, Uкэ=45V, Iк=0.5A, h21=160...400, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD)
auf Bestellung 2 Stücke:
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BC817-25LT1G BC817-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC817-25LT1G BC817-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BC817-25LT1G Hersteller : Diodes Incorporated bc817-16lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
BC817-25LT1G BC817-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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