BC817-40LT1G
Produktcode: 161335
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Technische Details BC817-40LT1G
- Bipolar Transistor
- Transistor Polarity:NPN
- Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:45V
- Power Dissipation, Pd:0.225W
- DC Current Gain Min (hfe):100
- Package/Case:SOT-323
- DC Collector Current:0.5A
- Leaded Process Compatible:Yes
Weitere Produktangebote BC817-40LT1G nach Preis ab 0.066 EUR bis 0.066 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC817-40LT1G | Hersteller : ON SEMICONDUCTOR |
NPN, 500 мА, 45 В, 250 мВт, 100 МГц, hFE = 250…600, SOT-23 |
auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC817-40LT1G |
BC817-40LT1G Транзисторы Bipolar |
auf Bestellung 938 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| BC817-40LT1G |
BC817-40LT1G Транзисторы Bipolar |
auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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BC817-40LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC817-40LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC817-40LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BC817-40LT1G | Hersteller : On Semiconductor |
NPN, Uкэ=45V, Iк=0.5A, h21=250...600, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| BC817-40LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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BC817-40LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
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BC817-40LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
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BC817-40LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC817-40LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
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