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BC817-40LT1G

BC817-16LT1-D.PDF
Produktcode: 161335
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Verschiedene Bauteile > Other components 3

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Technische Details BC817-40LT1G

  • Bipolar Transistor
  • Transistor Polarity:NPN
  • Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:45V
  • Power Dissipation, Pd:0.225W
  • DC Current Gain Min (hfe):100
  • Package/Case:SOT-323
  • DC Collector Current:0.5A
  • Leaded Process Compatible:Yes

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BC817-40LT1G BC817-40LT1G onsemi BC817-16LT1-D.PDF description Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN
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BC817-40LT1G ON SEMICONDUCTOR BC817-16LT1-D.PDF description NPN, 500 мА, 45 В, 250 мВт, 100 МГц, hFE = 250…600, SOT-23
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC817-40LT1G BC817-16LT1-D.PDF description BC817-40LT1G Транзисторы Bipolar
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BC817-40LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN
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9+0.32 EUR
16+0.18 EUR
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Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
NPN, 500 мА, 45 В, 250 мВт, 100 МГц, hFE = 250…600, SOT-23
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Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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BC817-40LT1G Транзисторы Bipolar
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