BC817-40LT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMIDescription: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Technische Details BC817-40LT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BC817-40LT1G nach Preis ab 0.073 EUR bis 0.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BC817-40LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC817-40LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 117000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC817-40LT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Tranzystor NPN; 600; 225mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC817-40LT3; BC817-40LT3G; BC817-40LT1G TBC81740 ONS Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC817-40LT1G | Hersteller : ON SEMICONDUCTOR |
NPN, 500 мА, 45 В, 250 мВт, 100 МГц, hFE = 250…600, SOT-23 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC817-40LT1G |
BC817-40LT1G Транзисторы Bipolar |
auf Bestellung 938 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| BC817-40LT1G |
BC817-40LT1G Транзисторы Bipolar |
auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| BC817-40LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 45; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 250 @ 100 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3 |
auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC817-40LT1G Produktcode: 161335
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BC817-40LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC817-40LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BC817-40LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
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BC817-40LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
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BC817-40LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN |
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BC817-40LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
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