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BC817-40LT1G

BC817-40LT1G ON Semiconductor

bc817-16lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC817-40LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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BC817-40LT1G BC817-40LT1G Hersteller : onsemi bc817-16lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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Mindestbestellmenge: 3000
BC817-40LT1G BC817-40LT1G Hersteller : ONSEMI BC817-xxL.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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589+ 0.12 EUR
707+ 0.1 EUR
878+ 0.082 EUR
1370+ 0.052 EUR
1755+ 0.041 EUR
2907+ 0.025 EUR
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BC817-40LT1G BC817-40LT1G Hersteller : ONSEMI BC817-xxL.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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589+ 0.12 EUR
707+ 0.1 EUR
878+ 0.082 EUR
1370+ 0.052 EUR
1755+ 0.041 EUR
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BC817-40LT1G BC817-40LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC817-40LT1G BC817-40LT1G Hersteller : onsemi BC817_16LT1_D-2310244.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN
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BC817-40LT1G BC817-40LT1G Hersteller : onsemi bc817-16lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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BC817-40LT1G BC817-40LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 84044 Stücke:
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BC817-40LT1G BC817-40LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC817-40LT1G BC817-40LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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BC817-40LT1G BC817-40LT1G Hersteller : ONSEMI 1842041.pdf Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC817-40LT1G BC817-40LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
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BC817-40LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 45; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 250 @ 100 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3
auf Bestellung 720 Stücke:
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170+0.039 EUR
182+ 0.034 EUR
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BC817-40LT1G Hersteller : ON SEMICONDUCTOR bc817-16lt1-d.pdf NPN, 500 мА, 45 В, 250 мВт, 100 МГц, hFE = 250…600, SOT-23
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10+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BC817-40LT1G bc817-16lt1-d.pdf BC817-40LT1G Транзисторы Bipolar
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BC817-40LT1G bc817-16lt1-d.pdf BC817-40LT1G Транзисторы Bipolar
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BC817-40LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0006601463-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 240971 Stücke:
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BC817-40LT1G BC817-40LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC817-40LT1G
Produktcode: 161335 		bc817-16lt1-d.pdf Verschiedene Bauteile > Other components 3
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