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BC817-40WT1G

BC817-40WT1G ON Semiconductor

bc817-40w-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details BC817-40WT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC817-40WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC817-40WT1G BC817-40WT1G Hersteller : ON Semiconductor bc817-40w-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC817-40WT1G BC817-40WT1G Hersteller : onsemi bc817-40w-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 15000 Stücke:
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3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
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BC817-40WT1G BC817-40WT1G Hersteller : ON Semiconductor bc817-40w-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC817-40WT1G BC817-40WT1G Hersteller : ON Semiconductor bc817-40w-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3175 Stücke:
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2359+0.06 EUR
2381+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1359
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BC817-40WT1G BC817-40WT1G Hersteller : ONSEMI bc817-40w-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
544+0.13 EUR
685+0.10 EUR
1232+0.06 EUR
1573+0.05 EUR
2203+0.03 EUR
2326+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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BC817-40WT1G BC817-40WT1G Hersteller : ONSEMI bc817-40w-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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Anzahl Preis
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544+0.13 EUR
685+0.10 EUR
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BC817-40WT1G BC817-40WT1G Hersteller : onsemi bc817-40w-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN
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1000+0.06 EUR
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24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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BC817-40WT1G BC817-40WT1G Hersteller : onsemi bc817-40w-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 460 mW
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BC817-40WT1G BC817-40WT1G Hersteller : ONSEMI 2578322.pdf Description: ONSEMI - BC817-40WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC817-40WT1G BC817-40WT1G Hersteller : ON Semiconductor bc817-40w-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3175 Stücke:
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BC817-40WT1G BC817-40WT1G Hersteller : ONSEMI 2578322.pdf Description: ONSEMI - BC817-40WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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BC817-40WT1G BC817-40WT1G Hersteller : ON Semiconductor bc817-40w-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 1828 Stücke:
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BC817-40WT1G BC817-40WT1G Hersteller : ON Semiconductor bc817-40w-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
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BC817-40WT1G BC817-40WT1G Hersteller : ON Semiconductor bc817-40w-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
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