BC817K-25WH6433 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
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Technische Details BC817K-25WH6433 Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 170MHz, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 500 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BC 817K-25W H6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC 817K-25W H6433 |
Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF Transistor
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