BC846BHZGT116 Rohm Semiconductor
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Technische Details BC846BHZGT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Dauerkollektorstrom: 120mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 120mA, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BC846BHZGT116 nach Preis ab 0.095 EUR bis 0.48 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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BC846BHZGT116 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-23, 65V 120mA, General Purpose Transistor |
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BC846BHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 65V 0.12A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
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BC846BHZGT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 120mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BC846BHZGT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Dauerkollektorstrom: 120mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 120mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC846BHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1028 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC846BHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC846BHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC846BHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 65V 0.12A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
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