BC847BM3T5G ON Semiconductor
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Technische Details BC847BM3T5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 260mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BC847BM3T5G nach Preis ab 0.063 EUR bis 0.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BC847BM3T5G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BM3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN SILCON |
auf Bestellung 3863 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC847BM3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 260mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BM3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 260mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BM3T5G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.26W; SOT723 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.26W Case: SOT723 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
auf Bestellung 1260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BC847BM3T5G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BC847BM3T5G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R |
auf Bestellung 867 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 169 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC847BM3T5G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8000+ | 0.063 EUR |
| BC847BM3T5G |
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN SILCON
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN SILCON
auf Bestellung 3863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.65 EUR |
| 10+ | 0.44 EUR |
| 100+ | 0.29 EUR |
| 500+ | 0.18 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
| 2500+ | 0.13 EUR |
| 5000+ | 0.12 EUR |
| BC847BM3T5G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 326+ | 0.76 EUR |
| 782+ | 0.3 EUR |
| 910+ | 0.24 EUR |
| BC847BM3T5G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 326+ | 0.76 EUR |
| 782+ | 0.3 EUR |
| 910+ | 0.24 EUR |
| BC847BM3T5G |
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.26W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.26W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC847BM3T5G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC847BM3T5G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)