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BC847BM3T5G

BC847BM3T5G ON Semiconductor

bc847bm3-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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Technische Details BC847BM3T5G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 260mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BC847BM3T5G BC847BM3T5G Hersteller : ON Semiconductor bc847bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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BC847BM3T5G BC847BM3T5G Hersteller : ON Semiconductor bc847bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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BC847BM3T5G BC847BM3T5G Hersteller : onsemi bc847bm3-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 260 mW
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BC847BM3T5G BC847BM3T5G Hersteller : ON Semiconductor bc847bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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BC847BM3T5G BC847BM3T5G Hersteller : ONSEMI bc847bm3-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.26W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
451+0.16 EUR
645+0.11 EUR
747+0.096 EUR
897+0.08 EUR
1211+0.059 EUR
1283+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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BC847BM3T5G BC847BM3T5G Hersteller : ONSEMI bc847bm3-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.26W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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278+0.26 EUR
451+0.16 EUR
645+0.11 EUR
747+0.096 EUR
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1283+0.056 EUR
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BC847BM3T5G BC847BM3T5G Hersteller : onsemi BC847BM3_D-1802756.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN SILCON
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7+0.44 EUR
11+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
2500+0.097 EUR
5000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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BC847BM3T5G BC847BM3T5G Hersteller : onsemi bc847bm3-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 260 mW
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BC847BM3T5G BC847BM3T5G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013184511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 11393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC847BM3T5G BC847BM3T5G Hersteller : ON Semiconductor bc847bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC847BM3T5G BC847BM3T5G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013184511-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 260 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 11393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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