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BC847BQC-QZ

BC847BQC-QZ NEXPERIA

BC847XQC-Q_SER.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC847BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847xQC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.49 EUR
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Technische Details BC847BQC-QZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BC847BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847xQC-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote BC847BQC-QZ nach Preis ab 0.086 EUR bis 0.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC847BQC-QZ BC847BQC-QZ Nexperia USA Inc. BC847XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 4953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
60+0.35 EUR
123+0.17 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.099 EUR
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BC847BQC-QZ BC847BQC-QZ Nexperia BC847XQC-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT8009 45V .1A NPN GP TRANS
auf Bestellung 14737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
10+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.096 EUR
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BC847BQC-QZ BC847BQC-QZ NEXPERIA BC847XQC-Q_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC847BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847xQC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+0.76 EUR
474+0.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 329 Stücke
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BC847BQC-QZ Nexperia BC847XQC-Q_SER.pdf BC847BQC-QZ
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BC847BQC-QZ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: AEC-Q100
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Bipolar Transistors - BJT SOT8009 45V .1A NPN GP TRANS
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Description: NEXPERIA - BC847BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
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Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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