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BC847BQC-QZ

BC847BQC-QZ Nexperia


BC847XQC-Q_SER.pdf Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC847BQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3
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Technische Details BC847BQC-QZ Nexperia

Description: NEXPERIA - BC847BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847xQC-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC847BQC-QZ BC847BQC-QZ Hersteller : Nexperia USA Inc. BC847XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: AEC-Q100
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BC847BQC-QZ BC847BQC-QZ Hersteller : NEXPERIA BC847XQC-Q_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC847BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847xQC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BC847BQC-QZ BC847BQC-QZ Hersteller : NEXPERIA BC847XQC-Q_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC847BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847xQC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BC847BQC-QZ BC847BQC-QZ Hersteller : Nexperia USA Inc. BC847XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 360 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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