
BC847BT116 Rohm Semiconductor
auf Bestellung 396196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
1989+ | 0.07 EUR |
2097+ | 0.07 EUR |
6000+ | 0.06 EUR |
12000+ | 0.06 EUR |
24000+ | 0.05 EUR |
96000+ | 0.04 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BC847BT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BC847BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BC847BT116 nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.48 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC847BT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 1236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC847BT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 2452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC847BT116 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT23 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 200...450 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Frequency: 200MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5900 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC847BT116 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT23 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 200...450 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Frequency: 200MHz |
auf Bestellung 5900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC847BT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW |
auf Bestellung 2510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC847BT116 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 8767 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC847BT116 | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
BC847BT116 Produktcode: 210366
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BC847BT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |