Technische Details BC847BU3T106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BC847BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BC847BU3T106 nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A UMT3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC847BU3T106 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-323, 45V 100mA, General Purpose Amplification Transistor |
auf Bestellung 6099 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC847BU3T106 | ROHM |
Description: ROHM - BC847BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BC847BU3T106 | ROHM |
Description: ROHM - BC847BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC847BU3T106 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 619+ | 0.29 EUR |
| 1005+ | 0.17 EUR |
| 1346+ | 0.12 EUR |
| 1539+ | 0.1 EUR |
| BC847BU3T106 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 619+ | 0.29 EUR |
| 1005+ | 0.18 EUR |
| 1346+ | 0.13 EUR |
| 1539+ | 0.11 EUR |
| BC847BU3T106 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1489+ | 0.44 EUR |
| BC847BU3T106 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 45V 0.1A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 45V 0.1A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 0.48 EUR |
| 70+ | 0.3 EUR |
| 112+ | 0.19 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| BC847BU3T106 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-323, 45V 100mA, General Purpose Amplification Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-323, 45V 100mA, General Purpose Amplification Transistor
auf Bestellung 6099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 0.52 EUR |
| 11+ | 0.32 EUR |
| 100+ | 0.2 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
| 3000+ | 0.12 EUR |
| 6000+ | 0.11 EUR |
| BC847BU3T106 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BC847BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - BC847BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC847BU3T106 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BC847BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - BC847BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC847BU3T106 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)