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BC847BV

BC847BV Yangjie Technology


Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details BC847BV Yangjie Technology

Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-563, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 150mW, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: 2 NPN (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC847BV BC847BV Hersteller : NXP info-tbc847bv.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive BC847BV,115 BC847BV,315 BC847BVN,115 BC847BV TBC847bv
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