BC847CE6327 Infineon
Hersteller: Infineon
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive BC847CE6327HTSA1 BC847CE6327 INF TBC847c inf
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Technische Details BC847CE6327 Infineon
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Очікується: 4000 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote BC847CE6327
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| BC 847C E6327 | Infineon Technologies |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Очікується: 4000 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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BC 847C E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A |
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Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC847CE6327 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT |
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| BC 847C E6327 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Очікується: 4000 Од. вим: шт
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Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Очікується: 4000 Од. вим: шт
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| BC 847C E6327 |
Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A
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| BC847CE6327 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
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