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BC848ALT1G

BC848ALT1G ON Semiconductor

bc846alt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC848ALT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC848ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC848ALT1G BC848ALT1G Hersteller : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
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Anzahl Preis
3000+0.047 EUR
6000+0.042 EUR
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2193+0.064 EUR
2208+0.061 EUR
3040+0.042 EUR
3068+0.04 EUR
3677+0.032 EUR
4808+0.024 EUR
30000+0.023 EUR
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BC848ALT1G BC848ALT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BF969ADE4FC0CE&compId=BC846ALT1G.PDF?ci_sign=17a225e30779fe945b7cb9d0f0054338a73015b1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 110...220
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
548+0.13 EUR
766+0.093 EUR
944+0.076 EUR
1015+0.07 EUR
2733+0.026 EUR
2891+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 548
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BC848ALT1G BC848ALT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BF969ADE4FC0CE&compId=BC846ALT1G.PDF?ci_sign=17a225e30779fe945b7cb9d0f0054338a73015b1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 110...220
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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BC848ALT1G BC848ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 47967 Stücke:
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Anzahl Preis
802+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 802
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BC848ALT1G BC848ALT1G Hersteller : onsemi BC846ALT1_D-1387679.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
auf Bestellung 25426 Stücke:
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12+0.25 EUR
21+0.14 EUR
100+0.084 EUR
500+0.069 EUR
1000+0.049 EUR
3000+0.037 EUR
6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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BC848ALT1G BC848ALT1G Hersteller : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 11188 Stücke:
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72+0.25 EUR
120+0.15 EUR
194+0.091 EUR
500+0.066 EUR
1000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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BC848ALT1G BC848ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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BC848ALT1G BC848ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC848ALT1G BC848ALT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC848ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
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BC848ALT1G BC848ALT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC848ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC848ALT1G BC848ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC848ALT1G BC848ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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