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BC848BWT1G

BC848BWT1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details BC848BWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC848BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote BC848BWT1G nach Preis ab 0.035 EUR bis 0.31 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC848BWT1G BC848BWT1G ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC848BWT1G BC848BWT1G onsemi BC846AWT1-D.PDF Description: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 72000 Stücke:
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3000+0.051 EUR
6000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC848BWT1G BC848BWT1G ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 123000 Stücke:
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12500+0.054 EUR
100000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 12500 Stücke
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BC848BWT1G BC848BWT1G ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 111000 Stücke:
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BC848BWT1G BC848BWT1G ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 29180 Stücke:
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1846+0.096 EUR
2552+0.069 EUR
2916+0.058 EUR
3572+0.046 EUR
6000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 1846 Stücke
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BC848BWT1G BC848BWT1G onsemi BC846AWT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
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12+0.25 EUR
19+0.15 EUR
100+0.099 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.063 EUR
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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BC848BWT1G BC848BWT1G onsemi BC846AWT1-D.PDF Description: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 74599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.25 EUR
130+0.17 EUR
210+0.1 EUR
500+0.073 EUR
1000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848BWT1G BC848BWT1G ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 29180 Stücke:
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716+0.25 EUR
1139+0.15 EUR
1846+0.089 EUR
2552+0.062 EUR
2916+0.052 EUR
3572+0.04 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 716 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848BWT1G BC848BWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC848BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1695 Stücke:
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820+0.31 EUR
1296+0.18 EUR
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BC848BWT1G BC848BWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC848BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC848BWT1G BC848BWT1G ONSEMI BC846AWT1-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 37745 Stücke:
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BC848BWT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC848BWT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 72000 Stücke:
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BC848BWT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 123000 Stücke:
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BC848BWT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 111000 Stücke:
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BC848BWT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 29180 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1846+0.096 EUR
2552+0.069 EUR
2916+0.058 EUR
3572+0.046 EUR
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BC848BWT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
auf Bestellung 22324 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
12+0.25 EUR
19+0.15 EUR
100+0.099 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.063 EUR
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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BC848BWT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 74599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
84+0.25 EUR
130+0.17 EUR
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500+0.073 EUR
1000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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BC848BWT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 29180 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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1139+0.15 EUR
1846+0.089 EUR
2552+0.062 EUR
2916+0.052 EUR
3572+0.04 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 716 Stücke
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BC848BWT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
820+0.31 EUR
1296+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 820 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848BWT1G ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC848BWT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
820+0.31 EUR
1296+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 820 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848BWT1G BC846AWT1-D.PDF
BC848BWT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 37745 Stücke:
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