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BC848C (NPN-Bipolartransistor)

BC848C (NPN-Bipolartransistor) Infineon

BC846...BC850.pdf
Produktcode: 3096
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 250 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 800
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+2.69 EUR
10000+0.018 EUR
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Möglichen Substitutionen BC848C (NPN-Bipolartransistor) Infineon

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC848C BC848C
Produktcode: 160570
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Yangjie bc846_thru_bc848.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 100 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 А
Stromverstärkung h21: 800
Montage: SMD
auf Bestellung 5 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BC848C
Produktcode: 160570
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bc846_thru_bc848.pdf
BC848C
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 100 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 А
Stromverstärkung h21: 800
Montage: SMD
auf Bestellung 5 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Weitere Produktangebote BC848C (NPN-Bipolartransistor) nach Preis ab 0.02 EUR bis 0.21 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC848C BC848C TDSEMIC TBC848c_TDS_TDSEMIC_0001.pdf Transistor NPN; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C TDSEMIC TBC848c TDS
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C BC848C Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_BC848C%20SOT-23.pdf Description: 30V 300MW 420@2MA,5V 100MA NPN S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 12731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.024 EUR
6000+0.021 EUR
9000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C BC848C TDSEMIC TBC848c_TDS_TDSEMIC_0001.pdf Transistor NPN; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C TDSEMIC TBC848c TDS
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C BC848C REALCHIP TBC848c_REA_REALCHIP.pdf Tranzystor NPN; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C SOT23(T/R) REALCHIP TBC848c REA
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1500+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C BC848C SLKOR TBC848c_SLK_SLKOR_0001.pdf Transistor NPN; 800; 300mW; 30V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C SLKOR TBC848c SLK
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C BC848C YANGJIE TECHNOLOGY BC846_8.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1675+0.051 EUR
2075+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1675 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C BC848C Diotec Semiconductor bc846.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16022 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3237+0.055 EUR
3969+0.044 EUR
6000+0.038 EUR
9000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C BC848C DIOTEC SEMICONDUCTOR 4398259.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 310mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4465+0.056 EUR
9000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 4465 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C BC848C DIOTEC SEMICONDUCTOR bc846.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Pulsed collector current: 0.2A
auf Bestellung 15972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.086 EUR
1087+0.079 EUR
1250+0.068 EUR
1832+0.046 EUR
2263+0.038 EUR
2578+0.033 EUR
3165+0.027 EUR
6000+0.024 EUR
9000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C BC848C DIOTEC SEMICONDUCTOR 4398259.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 310mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1141+0.21 EUR
1902+0.12 EUR
2278+0.094 EUR
2850+0.075 EUR
3258+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 1141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C BC848C DIOTEC SEMICONDUCTOR 4398259.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 310mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1141+0.21 EUR
1902+0.12 EUR
2278+0.094 EUR
2850+0.075 EUR
3258+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 1141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C BC848C Diotec Semiconductor bc846.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC848C Diodes INC. BC848_DIODES.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 300, Р, Вт = 0,31 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 30 Stücke:
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BC848C 5399_BC848C%20SOT-23.pdf BC848C Транзисторы
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C TBC848c_TDS_TDSEMIC_0001.pdf
BC848C
Hersteller: TDSEMIC
Transistor NPN; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C TDSEMIC TBC848c TDS
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C 5399_BC848C%20SOT-23.pdf
BC848C
Hersteller: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 30V 300MW 420@2MA,5V 100MA NPN S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 12731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.024 EUR
6000+0.021 EUR
9000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C TBC848c_TDS_TDSEMIC_0001.pdf
BC848C
Hersteller: TDSEMIC
Transistor NPN; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C TDSEMIC TBC848c TDS
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C TBC848c_REA_REALCHIP.pdf
BC848C
Hersteller: REALCHIP
Tranzystor NPN; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C SOT23(T/R) REALCHIP TBC848c REA
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C TBC848c_SLK_SLKOR_0001.pdf
BC848C
Hersteller: SLKOR
Transistor NPN; 800; 300mW; 30V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP BC848C SLKOR TBC848c SLK
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C BC846_8.pdf
BC848C
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1675+0.051 EUR
2075+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1675 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C bc846.pdf
BC848C
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16022 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3237+0.055 EUR
3969+0.044 EUR
6000+0.038 EUR
9000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C 4398259.pdf
BC848C
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 310mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4465+0.056 EUR
9000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 4465 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C bc846.pdf
BC848C
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Pulsed collector current: 0.2A
auf Bestellung 15972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.086 EUR
1087+0.079 EUR
1250+0.068 EUR
1832+0.046 EUR
2263+0.038 EUR
2578+0.033 EUR
3165+0.027 EUR
6000+0.024 EUR
9000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C 4398259.pdf
BC848C
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 310mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1141+0.21 EUR
1902+0.12 EUR
2278+0.094 EUR
2850+0.075 EUR
3258+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 1141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C 4398259.pdf
BC848C
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 310mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1141+0.21 EUR
1902+0.12 EUR
2278+0.094 EUR
2850+0.075 EUR
3258+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 1141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848C bc846.pdf
BC848C
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
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Hersteller: Diodes INC.
Транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 300, Р, Вт = 0,31 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BC848C Транзисторы
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2N3904 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 27101
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2N3904 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,2 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: THT
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    2SC9014 (NPN-Bipolartransistor)
    Produktcode: 26977
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    2SC9014 (NPN-Bipolartransistor)
    Hersteller: NXP
    Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: SOT-23
    Transitfrequenz fT: 350 MHz
    Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 45 V
    Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 V
    Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
    Stromverstärkung h21: 300
    Montage: SMD
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    PMBT5551 (NPN-Bipolartransistor)
    Produktcode: 20409
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    PMBT5551 (NPN-Bipolartransistor)
    Hersteller: NXP/Philips
    Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: SOT-23
    Transitfrequenz fT: 300 МГц
    Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 V
    Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 V
    Kollektorstrom Ic, A: 0,3 A
    Montage: SMD
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    BC846A (NPN-Bipolartransistor)
    Produktcode: 2036
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    BC846A (NPN-Bipolartransistor)
    Hersteller: NXP
    Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: SOT-23
    Transitfrequenz fT: 100 MHz
    Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 65 V
    Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 V
    Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
    Stromverstärkung h21: 220
    Montage: SMD
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    PH2369 (NPN-Bipolartransistor)
    Produktcode: 1654
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    PH2369 (NPN-Bipolartransistor)
    Hersteller: NXP
    Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: TO-92
    Transitfrequenz fT: 500 MHz
    Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 15 V
    Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 40 V
    Kollektorstrom Ic, A: 0,2 A
    Stromverstärkung h21: 120
    Montage: THT
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