BC848CDW1T1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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Technische Details BC848CDW1T1G ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.
Weitere Produktangebote BC848CDW1T1G nach Preis ab 0.08 EUR bis 0.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BC848CDW1T1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V Dual NPN |
auf Bestellung 133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC848CDW1T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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BC848CDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 380 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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BC848CDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 380 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| BC848CDW1T1G | ON Semiconductor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC848CDW1T1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V Dual NPN
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V Dual NPN
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 0.5 EUR |
| 12+ | 0.3 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 500+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| 3000+ | 0.08 EUR |
| BC848CDW1T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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| BC848CDW1T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
Description: ONSEMI - BC848CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
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| BC848CDW1T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
Description: ONSEMI - BC848CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
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Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
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Wandlerpolarität: Zweifach npn
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC848CDW1T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 1174 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)