BC848CLT1G (Bipolartransistor NPN) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

BC848CLT1G (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 42470
Hersteller:
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

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Technische Details BC848CLT1G (Bipolartransistor NPN)

Preis BC848CLT1G (Bipolartransistor NPN) ab 0.017 EUR bis 16.48 EUR

BC848CLT1G
Hersteller: ONS

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3125+ 0.028 EUR
3334+ 0.025 EUR
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21000+ 0.019 EUR
54000+ 0.017 EUR
BC848CLT1G
BC848CLT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 100MA SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
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15000+ 0.046 EUR
BC848CLT1G
Hersteller: ONSEMI
Material: BC848CLT1G NPN SMD transistors
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1458+ 0.049 EUR
2646+ 0.027 EUR
2942+ 0.024 EUR
3334+ 0.021 EUR
3886+ 0.018 EUR
4109+ 0.017 EUR
BC848CLT1G
Hersteller: ON
NPN 100mA 30V 225mW 100MHz Trans. BC848C SOT23 TBC848c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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500+ 0.057 EUR
BC848CLT1G
BC848CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Part Status: Active
Transistor Type: NPN
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 100MHz
Power - Max: 300mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
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13+ 1.87 EUR
27+ 0.88 EUR
100+ 0.27 EUR
250+ 0.16 EUR
500+ 0.11 EUR
1000+ 0.072 EUR
BC848CLT1G
BC848CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC848CLT1G
BC848CLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 30 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE
Transistor Polarity: NPN
Product Range: BCxxx
Power Dissipation Pd: 300
DC Current Gain hFE: 100
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: -
Automotive Qualification Standard: AEC-Q101
DC Collector Current: 100
Transistor Case Style: SOT-23
Transition Frequency ft: 100
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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BC848CLT1G
BC848CLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 300
DC Current Gain hFE: 420
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: MSL 1 - Unlimited
Automotive Qualification Standard: AEC-Q101
DC Collector Current: 100
Transistor Case Style: SOT-23
Transition Frequency ft: 100
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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BC848CLT1G
BC848CLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 30 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE
Transistor Polarity: NPN
Product Range: BCxxx
Power Dissipation Pd: 300
DC Current Gain hFE: 100
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: -
Automotive Qualification Standard: AEC-Q101
DC Collector Current: 100
Transistor Case Style: SOT-23
Transition Frequency ft: 100
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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BC848CLT1G
Hersteller:
BC848C NPN, 30V, 100mA, H=420-800, SOT23
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BC848CLT1G
Hersteller:
BC848C NPN, 30V, 100mA, H=420-800, SOT23
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BC848CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC848CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC848CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC848CLT1G
Hersteller: On Semiconductor
SOT-23-3 (BCW33)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC848CLT1G
BC848CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
BC846ALT1_D-2310268.pdf
auf Bestellung 74323 Stücke
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BC848CLT1G
BC848CLT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
BC846ALT1_D-2310268.pdf
auf Bestellung 74657 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BC848CLT1G
BC848CLT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
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BC848CLT1G
BC848CLT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
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