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BC856AQC-QZ Nexperia


BC856XQC-Q_SER.pdf
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 65V .1A PNP GP TRANS
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Technische Details BC856AQC-QZ Nexperia

Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 450mW, Verlustleistung: 450mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC856xQC-Q Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BC856AQC-QZ BC856AQC-QZ NEXPERIA 3594603.pdf Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
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Wandlerpolarität: PNP
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Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1960 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Verlustleistung Pd: 450mW
Verlustleistung: 450mW
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Dauerkollektorstrom: 100mA
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Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: NEXPERIA
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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