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BC856AQC-QZ

BC856AQC-QZ Nexperia

BC856XQC-Q_SER.pdf
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC856AQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3
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Technische Details BC856AQC-QZ Nexperia

Description: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 450mW, Verlustleistung: 450mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC856xQC-Q Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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Verlustleistung Pd: 450mW
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
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Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
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Wandlerpolarität: PNP
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DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC856AQC-QZ
Hersteller: NEXPERIA
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Hersteller: NEXPERIA
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