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BC856B,215

BC856B,215 Nexperia

bc856_bc857_bc858.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC856B,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC856B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC856, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BC856B BC856B
Produktcode: 2029
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Hersteller : Infineon BC856,857.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 65
U, V: 80
I, А: 0.1
h21,max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856_BC857_BC858.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 250 mW
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3000+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
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30000+0.02 EUR
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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9000+0.02 EUR
24000+0.02 EUR
45000+0.02 EUR
99000+0.02 EUR
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15152+0.04 EUR
100000+0.03 EUR
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11195+0.05 EUR
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2809+0.08 EUR
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBA90CD3E194469&compId=BC856B.215.pdf?ci_sign=e98c6e13967504174b33314ff8025a038644e527 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15363 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
569+0.13 EUR
1021+0.07 EUR
1446+0.05 EUR
1701+0.04 EUR
2513+0.03 EUR
3497+0.02 EUR
3704+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 569
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBA90CD3E194469&compId=BC856B.215.pdf?ci_sign=e98c6e13967504174b33314ff8025a038644e527 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 15363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
569+0.13 EUR
1021+0.07 EUR
1446+0.05 EUR
1701+0.04 EUR
2513+0.03 EUR
3497+0.02 EUR
3704+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 569
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856_BC857_BC858.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 30379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.16 EUR
189+0.09 EUR
309+0.06 EUR
500+0.04 EUR
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : Nexperia BC856_BC857_BC858.pdf Bipolar Transistors - BJT BC856B/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 294495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+0.17 EUR
34+0.08 EUR
100+0.05 EUR
1000+0.04 EUR
3000+0.03 EUR
9000+0.03 EUR
24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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BC856B,215 BC856B,215 BC856_BC857_BC858.pdf PNP 65V, 0.1A, general purpose transistors SOT-23-3
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002912278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC856B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 391298 Stücke:
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BC856B.215 BC856B.215
Produktcode: 73249
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Hersteller : Nexperia bc856b-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 65 V
U, V: 80 V
I, А: 0,1 A
h21,max: 475
Produkt ist nicht verfügbar
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 985 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : NEXPERIA BC856_BC857_BC858.pdf Description: NEXPERIA - BC856B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 966000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : NEXPERIA bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 499998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC856B,215 Hersteller : NXP BC856_BC857_BC858.pdf PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 < beta < 475 BC856B smd NXP TBC856b
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 8924 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BC856B,215 Hersteller : NXP BC856_BC857_BC858.pdf PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 < beta < 475 BC856B smd NXP TBC856b
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BC856B,215 BC856_BC857_BC858.pdf BC856B,215 Транзисторы
auf Bestellung 97 Stücke:
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BC856B,215 BC856_BC857_BC858.pdf BC856B,215 Транзисторы
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BC856B,215 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En BC856_BC857_BC858.pdf Транзистор PNP; Uceo, В = 65; Ic = 100 мА; ft, МГц = 100; hFE = 220 @ 2 мА, 5 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА; Р, Вт = 0,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
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BC856B,215 Hersteller : NXP Semiconductors BC856_BC857_BC858.pdf PNP, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h21=220...475, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD)
auf Bestellung 4982 Stücke:
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BC856B,215 BC856_BC857_BC858.pdf BC856B,215 Транзисторы
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BC856B,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002912278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC856B,215 - TRANSISTOR, PNP, -65V, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : NEXPERIA bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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