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BC856B,215

BC856_BC857_BC858.pdf
Produktcode: 196383
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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15000+0.021 EUR
30000+0.02 EUR
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100000+0.029 EUR
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Mindestbestellmenge: 15152
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : NXP info-tbc858b.pdf PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 < beta < 475 BC856B smd NEXPERIA TBC856b
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : NXP info-tbc858b.pdf PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 < beta < 475 BC856B smd NEXPERIA TBC856b
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : NXP BC856_BC857_BC858.pdf PNP, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h21=220...475, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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27+0.19 EUR
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC856B,215 BC856_BC857_BC858.pdf BC856B,215 Транзисторы
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BC856B,215 BC856_BC857_BC858.pdf BC856B,215 Транзисторы
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BC856B,215 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En BC856_BC857_BC858_6.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BC856B,215 BC856_BC857_BC858.pdf PNP 65V, 0.1A, general purpose transistors SOT-23-3
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BC856B,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS19373-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - BC856B,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 929867 Stücke:
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : Nexperia BC856_BC857_BC858.pdf Bipolar Transistors - BJT BC856B/SOT23/TO-236AB
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856_BC857_BC858.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 250 mW
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : NEXPERIA 4003343.pdf Description: NEXPERIA - BC856B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856_BC857_BC858.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 250 mW
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : NEXPERIA 4003343.pdf Description: NEXPERIA - BC856B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BC856B,215 BC856B,215 Hersteller : NEXPERIA BC856B.215.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
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