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BC856B,215

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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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BC856B,215 BC856B,215 NXP info-tbc858b.pdf PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 < beta < 475 BC856B smd NEXPERIA TBC856b
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BC856B,215 BC856B,215 NXP BC856_BC857_BC858.pdf PNP, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h21=220...475, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори
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BC856B,215 BC856B,215 Nexperia info-tbc858b.pdf PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 < beta < 475 BC856B smd NEXPERIA TBC856b
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BC856B,215 NXP/Nexperia/We-En BC856_BC857_BC858_6.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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BC856B,215 BC856_BC857_BC858.pdf PNP 65V, 0.1A, general purpose transistors SOT-23-3
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Hersteller: NXP
PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 < beta < 475 BC856B smd NEXPERIA TBC856b
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Hersteller: NXP
PNP, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h21=220...475, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори
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Hersteller: Nexperia
PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 < beta < 475 BC856B smd NEXPERIA TBC856b
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Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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PNP 65V, 0.1A, general purpose transistors SOT-23-3
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