BC856BM3T5G ON Semiconductor
| Anzahl | Preis |
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| 1367+ | 0.11 EUR |
| 1859+ | 0.077 EUR |
| 2578+ | 0.054 EUR |
| 3547+ | 0.038 EUR |
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Technische Details BC856BM3T5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 265mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BC856BM3T5G nach Preis ab 0.032 EUR bis 0.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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BC856BM3T5G | Hersteller : ONSEMI |
 Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265W; SOT723 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.265W Case: SOT723 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
auf Bestellung 1810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BM3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
auf Bestellung 4646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BM3T5G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 65V PNP |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 374-378 Tag (e) |
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BC856BM3T5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 265mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BM3T5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 265mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BM3T5G | Hersteller : ON |
SOT723 |
auf Bestellung 16500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |