Technische Details BC856BM3T5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 265mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BC856BM3T5G nach Preis ab 0.035 EUR bis 0.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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BC856BM3T5G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BM3T5G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BM3T5G | onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 265 mW |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC856BM3T5G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
auf Bestellung 4646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BM3T5G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265W; SOT723 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.265W Case: SOT723 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BM3T5G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
auf Bestellung 28946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BM3T5G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
auf Bestellung 4646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BM3T5G | onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 265 mW |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC856BM3T5G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 65V PNP |
auf Bestellung 22020 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC856BM3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 265mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 11224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BM3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 265mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 11224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BM3T5G | ON |
SOT723 |
auf Bestellung 16500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC856BM3T5G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8000+ | 0.035 EUR |
| BC856BM3T5G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8000+ | 0.035 EUR |
| BC856BM3T5G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8000+ | 0.057 EUR |
| BC856BM3T5G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 4646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1367+ | 0.13 EUR |
| 1859+ | 0.093 EUR |
| 2578+ | 0.065 EUR |
| 3547+ | 0.046 EUR |
| BC856BM3T5G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265W; SOT723
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT723
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265W; SOT723
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT723
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 417+ | 0.2 EUR |
| 472+ | 0.18 EUR |
| 538+ | 0.15 EUR |
| 923+ | 0.093 EUR |
| 1348+ | 0.063 EUR |
| 1568+ | 0.055 EUR |
| BC856BM3T5G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 28946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 625+ | 0.29 EUR |
| BC856BM3T5G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 4646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 509+ | 0.35 EUR |
| 834+ | 0.2 EUR |
| 902+ | 0.18 EUR |
| 1354+ | 0.12 EUR |
| 1367+ | 0.11 EUR |
| 1859+ | 0.077 EUR |
| 2578+ | 0.054 EUR |
| 3547+ | 0.039 EUR |
| BC856BM3T5G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 56+ | 0.38 EUR |
| 96+ | 0.21 EUR |
| 155+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.099 EUR |
| 1000+ | 0.087 EUR |
| 2000+ | 0.076 EUR |
| BC856BM3T5G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 65V PNP
Bipolar Transistors - BJT 100mA 65V PNP
auf Bestellung 22020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 0.45 EUR |
| 14+ | 0.25 EUR |
| 100+ | 0.15 EUR |
| 500+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.099 EUR |
| 2500+ | 0.086 EUR |
| BC856BM3T5G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 559+ | 0.45 EUR |
| 807+ | 0.29 EUR |
| 1600+ | 0.13 EUR |
| 1866+ | 0.11 EUR |
| 2160+ | 0.099 EUR |
| 5000+ | 0.077 EUR |
| BC856BM3T5G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 559+ | 0.45 EUR |
| 807+ | 0.29 EUR |
| 1600+ | 0.13 EUR |
| 1866+ | 0.11 EUR |
| 2160+ | 0.099 EUR |
| 5000+ | 0.077 EUR |
| BC856BM3T5G |
![]() |
Hersteller: ON
SOT723
SOT723
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)





