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BC856BWT1G

BC856BWT1G ON Semiconductor

bc856bwt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details BC856BWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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BC856BWT1G BC856BWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC856BWT1G BC856BWT1G Hersteller : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.3W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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2040+ 0.035 EUR
2280+ 0.032 EUR
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BC856BWT1G BC856BWT1G Hersteller : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.3W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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BC856BWT1G BC856BWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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5236+ 0.027 EUR
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Mindestbestellmenge: 2646
BC856BWT1G BC856BWT1G Hersteller : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
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3000+0.059 EUR
6000+ 0.056 EUR
9000+ 0.048 EUR
30000+ 0.044 EUR
75000+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BC856BWT1G BC856BWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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916+0.17 EUR
1244+ 0.12 EUR
2021+ 0.069 EUR
2075+ 0.065 EUR
2571+ 0.05 EUR
5129+ 0.024 EUR
5618+ 0.022 EUR
6173+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 916
BC856BWT1G BC856BWT1G Hersteller : onsemi BC856BWT1_D-2310301.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
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179+0.29 EUR
241+ 0.22 EUR
385+ 0.14 EUR
1000+ 0.06 EUR
2500+ 0.052 EUR
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Mindestbestellmenge: 179
BC856BWT1G BC856BWT1G Hersteller : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
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108+ 0.24 EUR
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500+ 0.1 EUR
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BC856BWT1G BC856BWT1G Hersteller : ONSEMI 1750584.pdf Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17970 Stücke:
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BC856BWT1G BC856BWT1G Hersteller : ONSEMI 2028689.pdf Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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