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BC857AMB,315 Nexperia


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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BC857AMB,315 Nexperia

Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006B-3, Power - Max: 250 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC857AMB,315 BC857AMB,315 Nexperia bc857xmb_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
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BC857AMB,315 NEXPERIA BC857AMB315_Nexperia.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - BC857AMB,315 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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