BC857BQC-QZ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 53+ | 0.33 EUR |
| 87+ | 0.2 EUR |
| 139+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.093 EUR |
| 1000+ | 0.082 EUR |
| 2000+ | 0.073 EUR |
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Technische Details BC857BQC-QZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BC857BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 450mW, Verlustleistung: 450mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857xQC-Q Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BC857BQC-QZ nach Preis ab 0.081 EUR bis 0.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BC857BQC-QZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 45V .1A PNP BJT |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC857BQC-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857xQC-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BC857BQC-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 450mW Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857xQC-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC857BQC-QZ |
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 45V .1A PNP BJT
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 45V .1A PNP BJT
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 0.48 EUR |
| 10+ | 0.28 EUR |
| 100+ | 0.17 EUR |
| 500+ | 0.12 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| 2500+ | 0.095 EUR |
| 5000+ | 0.081 EUR |
| BC857BQC-QZ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC857BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
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Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC857BQC-QZ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC857BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: -
Verlustleistung Pd: 450mW
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
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Produktpalette: BC857xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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auf Bestellung 2290 Stücke:
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