BC857BQC-QZ Nexperia
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7195+ | 0.02 EUR |
| 7300+ | 0.019 EUR |
| 9175+ | 0.015 EUR |
| 12500+ | 0.01 EUR |
| 12659+ | 0.0099 EUR |
| 12821+ | 0.0094 EUR |
| 15000+ | 0.0088 EUR |
| 30000+ | 0.0087 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BC857BQC-QZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BC857BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 450mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857xQC-Q Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BC857BQC-QZ nach Preis ab 0.0091 EUR bis 0.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC857BQC-QZ | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC857BQC-QZ | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC857BQC-QZ | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC857BQC-QZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 360 mW Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC857BQC-QZ | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 45V .1A PNP BJT |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC857BQC-QZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857xQC-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
|
|
BC857BQC-QZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 450mW euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857xQC-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
|
|
BC857BQC-QZ | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
|
|
BC857BQC-QZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 360 mW Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |