BC857CDW1T1G
Produktcode: 40507
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BC857CDW1T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 6054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC857CDW1T1G | onsemi |
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC857CDW1T1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual PNP |
auf Bestellung 622 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC857CDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 250mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - |
auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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BC857CDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412100 Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Dauerkollektorstrom: 100mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz, NPN: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Verlustleistung, PNP: 250mW DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Produktpalette: - usEccn: EAR99 Bauform - Transistor: SOT-363 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE Verlustleistung: 380mW rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Verlustleistung, NPN: - Qualifikation: AEC-Q101 Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR |
auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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BC857CDW1T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 6054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 365 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC857CDW1T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 6054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3334+ | 0.052 EUR |
| 5953+ | 0.029 EUR |
| BC857CDW1T1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 59+ | 0.36 EUR |
| 96+ | 0.21 EUR |
| 154+ | 0.13 EUR |
| BC857CDW1T1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual PNP
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual PNP
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 0.38 EUR |
| 16+ | 0.23 EUR |
| 100+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.12 EUR |
| 1000+ | 0.088 EUR |
| 3000+ | 0.069 EUR |
| BC857CDW1T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 250mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 250mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC857CDW1T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Dauerkollektorstrom: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz, NPN: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, PNP: 250mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Bauform - Transistor: SOT-363
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
Verlustleistung: 380mW
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Verlustleistung, NPN: -
Qualifikation: AEC-Q101
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Dauerkollektorstrom: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz, NPN: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, PNP: 250mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Bauform - Transistor: SOT-363
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
Verlustleistung: 380mW
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Verlustleistung, NPN: -
Qualifikation: AEC-Q101
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC857CDW1T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 6054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)