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BC857CDW1T1G

BC857CDW1T1G onsemi

bc856bdw1t1-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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Technische Details BC857CDW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, Wandlerpolarität: PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Übergangsfrequenz, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Verlustleistung, PNP: 250mW, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOT-363, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, rohsCompliant: YES, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Verlustleistung, NPN: -, Qualifikation: AEC-Q101, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, Transistormontage: Oberflächenmontage, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Hersteller : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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1593+0.09 EUR
2128+0.07 EUR
2632+0.05 EUR
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BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Hersteller : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Hersteller : onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual PNP
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BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Hersteller : onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Hersteller : ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Hersteller : ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Übergangsfrequenz, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, PNP: 250mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOT-363
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
rohsCompliant: YES
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Verlustleistung, NPN: -
Qualifikation: AEC-Q101
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
Transistormontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Hersteller : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.2A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G
Produktcode: 40507
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BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Hersteller : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Hersteller : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Hersteller : ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Hersteller : ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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